中國研究人員8月8日在美國<<科學>>雜誌上報告說，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，半浮柵晶體管是在金屬-氧化物-半導體場效應（MOSFET )晶體管內嵌入一個廣泛用於低功耗的裝置-隧穿場效應晶體管制成。半浮柵晶體管的優勢在於體積可更小，結構更簡單，讀寫速度更快，且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。
半浮柵晶體管不但可以應用於存儲器，還可應用於主動式圖像傳感器芯片（APS), 讓新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，並使圖像傳感器的分辨率和靈敏度得到提升。
研究負責人, 复旦大學教授王鵬飛對新華社記者說 ：”我國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管作為一種新型的微電子礎微器件，它的成功研制將有助我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片上逐漸獲得更多話語權。“
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發表於 2013-9-2 03:03 PM
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